近日,長江存儲三期項目正在安裝巨型潔凈廠房設備,項目負責人透露,計劃今年建成投產。湖北省委書記王忠林來到長江存儲三期項目建設現場三期擴產與未來目標長江存儲成立于2016年7月,是我國存儲芯片制造領域的龍頭企業,主要為市場提供3D NAND閃存晶圓及顆粒,嵌入式存儲芯片以及消費級、企業級固態硬盤等產品和解決方案。2021年12月,長江存儲二期科技有限責任公司成立,注冊資本600億元。2025年9月,長存三期(武漢)集成電路有限責任公司成立,注冊資本達207.2億元?——?由長江存儲持股5
關鍵字:
長江存儲 半導體 3D NAND 晶棧 Xtacking
動力強勁的 F1 賽車、穿梭飛行的無人機、士兵的單兵背包、智能可穿戴設備,這些產品有著一個共同點:都需要電池供電。理想狀態下,電池能精準適配各類不規則的邊角、曲面與空隙,但如今的圓柱或方形電池電芯卻難以實現這一點。曾參與設計梅賽德斯 - AMG 馬石油車隊賽車、助力該車隊拿下七連冠的工程師 Gabe Elias,聯合創立了一家初創企業,推出電池 3D 打印技術 —— 可將電池直接打印在設備表面,填充各類設備和交通工具中的閑置空間。該公司近期與美國空軍簽下一份價值 125 萬美元、為期 18 個月的合同,旨
關鍵字:
Material 3D 打印 電池
借助使“隱形斗篷”成為可能的光扭曲技術,科學家們開發出一種既能實現微觀細節又能實現高通量的新型3D打印技術。研究人員建議,他們的新技術有望實現復雜納米級結構的大規模生產。潛在應用包括藥物遞送和核聚變研究。目前,3D打印復雜微觀特征最精確的方法是雙光子光刻。該技術使用液態樹脂,只有當樹脂中的感光分子同時吸收兩個光子而非一個光子時才會凝固。 雙光子光刻技術使得體素——相當于像素的三維結構——體積僅幾十納米的器件成為可能。然而,雙光子光刻技術在大規模實際應用中被證明過于緩慢。這在很大程度上使其成為實驗
關鍵字:
3D 打印 超構透鏡 超材料 雙光子光刻
據路透社消息,中國NAND閃存制造商長江存儲已就其被列入“實體清單”一事分別向美國國防部、美國商務部發起了訴訟。12月5日,長江存儲于美國華盛頓聯邦法院對美國防部提起訴訟,要求法官阻止國防部將公司列入所謂“涉軍名單”并撤銷這一認定。長江存儲成立于2016年7月,是國內專注于3D NAND閃存及存儲器解決方案的半導體集成電路廠商,旗下有零售存儲品牌致態。長江存儲以1600億元的估值成功入圍了胡潤研究院最新發布的《2025全球獨角獸榜》,位列中國十大獨角獸第9、全球第21,成為半導體行業估值最高的新晉獨角獸。
關鍵字:
長江存儲 3D NAND 閃存 存儲器
近日,英偉達宣布入股新思科技,并開啟多年深度合作,引發行業廣泛關注。作為一家以算力和應用見長的芯片公司,為什么要親自“下場”綁定一家 EDA 工具商?與之相呼應的是,臺積電早已與楷登電子在先進制程與 3D 封裝上形成緊密合作,把工藝規則直接嵌入設計工具之中。 這一系列動作清晰地揭示了一個深層趨勢:在摩爾定律逼近極限、先進封裝成為算力增長核心引擎的今天,半導體產業的競爭范式正從單一的制程競賽,轉向系統級的協同優化。想要繼續提升性能、控制成本,就必須實現“工藝 + EDA + 設計”的深度協同,而
關鍵字:
算力巨頭 EDA 晶圓廠 3D IC
第六屆IEEE WINTECHCON 2025于2025年11月12日至13日,召集了800多名女性工程師、技術專家、行業領袖、學術界、學生和研究人員,主題為“以數據驅動的半導體創新改變未來”。今年,該會議由IEEE班加羅爾分會、IEEE計算機科學學會班加羅爾分會和Women in Engineering AG班加羅爾分會聯合主辦,由三星半導體印度研究院(SSIR)主辦。IEEE班加羅爾分會主席Chandrakanta Kumar博士表示:“IEEE Wintechcon 2025展示了印度半導體創新引擎
關鍵字:
半導體產業 嵌入式系統 IEEE Wintechon 2025 3D IC 集成
芯片制造商正越來越多地采用晶體管層堆疊技術,在有限空間內集成更強計算能力。然而,當前用于檢測可能導致 3D 芯片失效的深埋缺陷的技術,要么效果不佳,要么具有破壞性。不過,一家初創公司表示,基于人造鉆石的新型量子傳感器有望幫助代工廠在生產過程中快速捕捉這些隱藏缺陷,且不會對芯片造成損壞,這可能為行業節省數十億美元成本。馬里蘭州大學公園市量子技術公司 EuQlid 的聯合創始人兼首席執行官 Sanjive Agarwala 表示:“芯片中電流傳輸所依賴的互連結構若存在缺陷 —— 無論是金屬沉積不當、硅片裂紋還
關鍵字:
氮空位缺陷 3D 芯片 量子傳感器
專家在座:半導體工程與西門子 EDA 產品管理高級總監 John Ferguson 坐下來討論 3D-IC 設計挑戰以及堆疊芯片對 EDA 工具和方法的影響;Mick Posner,Cadence 計算解決方案事業部 IP 解決方案小芯片高級產品組總監;莫維盧斯的莫·費薩爾;是德科技新機會業務經理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺產品管理高級總監 Amlendu Shekhar Choubey。本討論的第 1 部分在這里,第 2&
關鍵字:
3D-IC 芯片設計
總部位于武漢的長江存儲科技控股有限責任公司(長存集團)召開股份公司成立大會并選舉首屆董事會,此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤研究院最新發布的《2025全球獨角獸榜》中,長江存儲以1600億元估值首次入圍,位列中國十大獨角獸第9、全球第21,成為半導體行業估值最高的新晉獨角獸。根據公開信息,2025年4月,養元飲品子公司泉泓、農銀投資、建信投資、交銀投資、中銀資產、工融金投等15家機構同步參與;7月,長存集團新增股東員工持股平臺 —— 武漢市智芯計劃一號至六號企業管理合伙企業(有限合伙),上述兩筆
關鍵字:
長江存儲 半導體 3D NAND 晶棧 Xtacking
專家在座:半導體工程坐下來討論了對 3D-IC 的初步嘗試以及早期采用者將遇到的問題,西門子 EDA 產品管理高級總監 John Ferguson;Mick Posner,Cadence 計算解決方案事業部 IP 解決方案小芯片高級產品組總監;莫維盧斯的莫·費薩爾;是德科技新機會業務經理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺產品管理高級總監 Amlendu Shekhar Choubey。從左到右:是德科技的 Mueth;Synopsys 的
關鍵字:
3D-IC設計
隨著 ChatGPT 等人工智能應用的爆發式增長,全球對算力的需求正以指數級態勢攀升。然而,人工智能的發展不僅依賴于性能強勁的計算芯片,更離不開高性能內存的協同配合。傳統內存已難以滿足 AI 芯片對數據傳輸速度的要求,而高帶寬內存(HBM)憑借創新的堆疊設計,成功攻克了帶寬瓶頸、功耗過高以及容量限制這三大關鍵難題,為 AI 應用的高效運行提供了重要支撐。但如今,傳統 HBM 已經受限,3D DRAM 能夠提供更高帶寬。同時還能進一步優化功耗表現,全球的存儲廠商也普遍將 3D
關鍵字:
3D DRAM
汽車行業正在經歷重大變革,因為它采用自動駕駛技術和超互聯生態系統等創新。這一變化的核心是對緊湊型、高性能半導體解決方案的需求不斷增長,這些解決方案能夠應對日益復雜的現代汽車架構。一項有前途的發展是三維集成電路 (3D-IC),這是一種創新的半導體設計方法,有可能重塑汽車市場。通過垂直堆疊多個芯片,3D-IC 提供卓越的性能、帶寬和能源效率,同時克服車輛系統的關鍵空間和熱限制。然而,盡管 3D-IC 具有潛力,但其設計和實施仍面臨重大挑戰。這就是人工智能驅動的電子設計自動化 (EDA) 工具發揮至關重要作用
關鍵字:
汽車應用 3D-IC 人工智能 EDA工具
全球存儲解決方案領導者鎧俠宣布,其采用第九代?BiCS FLASH??3D?閃存技術的?512Gb TLC存儲器已開始送樣(1)。該產品計劃于?2025?年投入量產,旨在為中低容量存儲市場提供兼具卓越性能與能效的解決方案。此外,這款產品也將集成到鎧俠的企業級固態硬盤中,特別是需要提升?AI?系統?GPU?性能的應用。為應對尖端應用市場的多樣化需求,同時提供兼具投資效益與競爭力的產品,鎧俠將繼續推行“雙軌并行
關鍵字:
鎧俠 3D 閃存 TLC存儲器 閃存 3D閃存
●? ?從生物識別、激光雷達、相機輔助等智能手機應用,到機器人、手勢識別及物體檢測,新的許可協議可加快超表面光學技術在消費電子、汽車、工業等大規模市場的普及。●? ?該協議擴大了ST使用Metalenz知識產權生產先進超表面光學元件的范圍,同時利用ST獨有技術和制造平臺,將300毫米半導體和光學元件的生產、測試和認證整合起來。服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics,簡稱ST) 和首創超表面光學技術的Metal
關鍵字:
意法半導體 Metalenz 超表面光學 直接飛行時間 dToF ToF 測距
3d tof介紹
您好,目前還沒有人創建詞條3d tof!
歡迎您創建該詞條,闡述對3d tof的理解,并與今后在此搜索3d tof的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網安備11010802012473